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Los últimos suspiros de la Ley de Moore

POSTED BY Garcerán Rojas 23 de October de 2019

Hemos comentado, ya varias veces, la evolución en el grado de integración de los transistores en los microprocesadores y el ritmo de crecimiento que ha seguido, durante más de medio siglo, cumpliéndose casi exactamente la predicción de Gordon Moore, hecha en 1965 y conocida como Ley de Moore.

Además, llevamos ya varios años en los que se está anunciando desde distintos frentes el final de esta carrera por conseguir mayores niveles de densidad lógica. Y es que el grado de miniaturización, al final, ha de topar con los límites estructurales de la propia materia, difícilmente traspasables.

A día de hoy, donde cada mejora en este campo en más complicada y tremendamente costosa, son tres las firmas que comparten el máximo nivel de avance, fabricando circuitos integrados en un equivalente a lo que se conoce como “nodo de 7 nanómetros” (aunque esta definición carece, en realidad, de un claro sentido físico, se sigue usando como referencia).

Los tres, Intel, Samsung y TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.), trabajan en ese límite de miniaturización (7 nm) que es, de momento, el máximo nivel alcanzado, aunque tanto Samsung como TSMC han anunciado, recientemente, su próximo avance al siguiente “nodo”, el de los 5 nm, pero aportando la primera un dato añadido. El hecho de que el tipo de transistor que la industria ha estado utilizando durante la última década, ya ha cumplido su ciclo y que el nuevo “siguiente nodo”, el de los 3 nm, se basará en un diseño completamente nuevo.

Y el nuevo concepto, independientemente de cómo se le bautice (parece que el término a utilizar será el de “nanosheet”), no será solamente el siguiente modelo de transistor para los chips, sino probablemente el último.

Referencia Ye, Ernst y Khade

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Garcerán Rojas