La progresión en el grado de integración de los componentes, algo a lo que nos referimos con una cierta asiduidad, está llegando a unos niveles que parecen infranqueables, pero que, hasta el momento, siempre han adoptado una nueva salida para cada ocasión en la que los obstáculos parecían insalvables.

La miniaturización mejora la capacidad de computación y, al menos hasta ahora, también el rendimiento energético. Sin embargo, cada nuevo avance en el número de transistores por unidad de superficie conlleva unas mayores fugas y con ello, unas pérdidas y disipación térmica mayores. Por ello, las investigaciones, con un horizonte a medio plazo, están centrándose en cómo vencer esas restricciones.

En ese horizonte se está situando lo que se entiende como la gran barrera, es decir, ese punto a partir del cual se podrá conseguir, de una manera absolutamente disruptiva, generar una multiplicación importante en la capacidad de procesamiento al tiempo que se produce una reducción, también importante, tanto en la energía necesaria para ello como en el calor disipado en el proceso.

Ya, en comentarios anteriores (ver superconductividad como posible solución a las tremendas predicciones), hemos tratado esta problemática, pero hoy queremos hacernos eco de una variante relativamente reciente consistente en el desarrollo de un transistor unimolecular que, a baja temperatura, posibilita un gran cambio en la corriente con sólo un pequeño cambio en la tensión de puerta, muy cerca de un límite físico conocido como “Subthreshold Swing”, a partir del cual los transistores pueden conmutar con tensiones mucho más reducidas, generando mucho menos calor.

Desarrollar este transistor es una tarea que ha llevado cerca de 10 años de arduo trabajo y mucha paciencia y lo que tenemos por delante, es decir, el desarrollar dispositivos tomando como base esos transistores, supondrá otra ingente cantidad de trabajo y una, no menor, dosis de paciencia.

Ref: Katherine Bourzac IEEE. Molecular Transistor Takes Advantage of Quantum Interference