Ya habíamos tratado el tema de la litografía extremadamente ultravioleta (EUV) (ver “un nuevo impulso para la Ley de Moore”) que se ha erigido en un auténtico cuello de botella para los nuevos desarrollos de aquellos fabricantes que se encuentran en vanguardia de la tecnología de semiconductores, como Intel, TSMC, Samsung y un corto etcétera.

Esa tecnología resulta extremadamente compleja, cara y costosa de operar, existiendo una poderosa razón para ello en la fuente de luz para el proceso, para la que se requieren los láseres comerciales más avanzados.

Pero, recientemente, se han publicado los trabajos de un grupo de investigadores japoneses que se han marcado el objetivo de conseguir una litografía EUV más barata, rápida y eficiente, aprovechando la potencia de un acelerador de partículas.

La fuente, llamada “láser de electrones libres” (FEL) es generada por un acelerador que no es uno cualquiera, sino un modelo que incorpora una versión con frenado de recuperación (conocido como “acelerador lineal con recuperación de energía”) que permitiría al láser generar decenas de kW de potencia que serían más que suficientes como para conducir, no una, sino varias máquinas de litografía de forma simultánea.